檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "sputter".ekeyword (精準) and year="99"
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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本論文主要利用反應式射頻磁控濺鍍法製備奈米材料來研究二氧化釕(Ruthenium dioxide，RuO2)/石墨烯(Graphene)奈米複合結構，觀察其表面、分析其成長優選方向及結構特性。 利用…
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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜，藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…
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本論文以濺鍍及共濺鍍沉積的方式製作Cu/Cu-SiO2/TaN，TaN/Cu-SiO2/TaN三層結構，經由電性量測結果可知上述兩種元件皆有電阻切換的性質。電極材料皆為TaN的元件在連續操作100次…
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本實驗使用反應式離子束共濺鍍Zn及Mg金屬靶沉積MgxZn1-xO薄膜，利用不同離子束電流調整x = 0 ~ 0.46，薄膜沉積於Si (100)、玻璃及石英基板。XRD量測結果中，MgxZn1-x…
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本研究是採用射頻磁控濺鍍法於康寧玻璃型號1737 基板沉積微晶矽鍺薄膜，使用的靶材為鍺錠貼附於矽靶上並控制鍺元素原子比20 % 來共鍍沉積，在沉積過程中加熱基板至150oC，並控制不同的氫氣與氬氣的…
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本文探討鈦(Ti)薄膜及氧化銦錫(Indium tin oxide, ITO)薄膜沈積於不同基材的殘留應力。鈦以電子束蒸鍍及射頻濺鍍製程沈積200nm厚度薄膜於矽晶圓基材表面上；氧化銦錫以射頻濺鍍製…